| 发明名称 | 位于半导体沟槽中的绝缘块 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括：提供具有前侧的半导体本体；在前侧上形成掩模；在掩模上形成至少一个开口，开口暴露前侧的一部分；在至少一个开口下方形成延伸到半导体本体中的至少一个沟槽，沟槽呈现至少一个侧壁以及沟槽底部；在掩模布置在前侧上时形成覆盖沟槽底部和至少一个侧壁的绝缘层，其中，形成绝缘层包括在沟槽底部上以及在至少一个侧壁上生成热氧化物；在绝缘层上沉积间隔层，间隔层包括第一电极材料；从绝缘层的覆盖沟槽底部的至少一部分去除间隔层；对沟槽至少一部分填充绝缘材料；仅仅去除绝缘材料的由间隔层侧向界定的一部分以在沟槽中留有绝缘块；对沟槽的至少一部分填充第二电极材料以在沟槽内形成电极。 | ||
| 申请公布号 | CN105895515A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610084496.4 | 申请日期 | 2016.02.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | M·H·菲勒迈尔;L·J·叶 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 周家新 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置(1)的方法(2)，所述方法(2)包括：‑提供(20)具有前侧(101)的半导体本体(10)；‑在所述前侧(101)上形成(21)掩模(12)；‑在所述掩模(12)上形成(22)至少一个开口(121)，所述开口(121)暴露所述前侧(101)的一部分；‑在所述至少一个开口(121)下方形成(23)延伸到所述半导体本体(10)中的至少一个沟槽(13)，所述沟槽(13)呈现至少一个侧壁(137)以及沟槽底部(136)；‑在所述掩模(12)布置在所述前侧(101)上时形成(24)覆盖所述沟槽底部(136)和所述至少一个侧壁(137)的绝缘层(138)，其中，形成(24)所述绝缘层(138)包括在所述沟槽底部(136)上以及在所述至少一个侧壁(137)上生成热氧化物；‑在所述绝缘层(138)上沉积(25)间隔层(14)，所述间隔层(14)包括第一电极材料；‑从所述绝缘层(138)的覆盖所述沟槽底部(136)的至少一部分去除(26)所述间隔层(14)；‑对所述沟槽(13)的至少一部分填充(27)绝缘材料；‑仅仅去除(28)所述绝缘材料的由所述间隔层(14)侧向界定的一部分以在所述沟槽(13)中留有绝缘块(4)；‑对所述沟槽(13)的至少一部分填充(29)第二电极材料以在所述沟槽(13)内形成电极(130‑2)。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||