一种五氧化三钛晶体的制作工艺

摘要

本发明公开了一种五氧化三钛晶体的制作工艺，采用分阶段升温烧结的方法：第一阶段常温升至1200℃，升温速率为5～7℃/min，真空度保持在10-3～10-4pa以下；第二阶段，1200升至1500℃，升温速率为2～4℃/min，当温度达到1400℃时充入惰性保护气体；第三阶段，C.1500℃升至1750～1850℃，升温速率为1.0～2.0℃/min，制备过程均不易引入杂质，也有效避免了大量气孔的形成，制得的五氧化三钛纯度和质量较高，同时采用电磁感应加热的方式对整个系统分阶段升温烧结，省去了电阻加热法中必不可少的低电压强电流变电器，装置简单，运行安全可靠，操作方便，节能30％以上。

主权项

一种五氧化三钛晶体的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：1)、将原料钛粉和二氧化钛粉按质量比为钛∶二氧化钛＝1∶9～12，混合均匀、造粒，在100～300℃下烘干，成为烧结料；2)、将烧结料放入坩埚中，坩埚转移至高温下降炉内，抽真空至炉内真空度为10^‑3～10^‑4pa以下；3)、对整个系统分阶段升温烧结，各阶段的参数设定如下：第一阶段：常温升至1200℃，升温速率为5～7℃/min，真空度保持在10^‑3～10^‑4pa以下；第二阶段：1200升至1500℃，升温速率为2～4℃/min，当温度达到1400℃时充入惰性保护气体；第三阶段：C.1500℃升至1750～1850℃，升温速率为1.0～2.0℃/min；4)、在1750～1850℃下，保温3～6小时，原料熔化充分，晶体生长的固液界面温度梯度在30～48℃/cm的范围内，坩埚下降速率在1.5～3.5mm/h之间，5)、待晶体生长结束后，在生长炉内适当位置保温10～24小时，然后经过匀速降至室温。