发明名称 一种超支化聚硅氧烷多层复合膜及其制备方法
摘要 本发明涉及一种超支化聚硅氧烷多层膜及其制备方法,采用以下工艺步骤:1)将超支化聚硅氧烷、溶剂、107胶、催化剂在60~80℃下反应12h后,形成铸膜料液,将所得铸膜液涂覆于聚偏氟乙烯多孔底膜上,得超支化聚硅氧烷膜;2)将乙烯基三乙氧基硅烷、溶剂、107胶、催化剂在60~80℃下反应6h后,形成铸膜料液,涂覆于上述超支化聚硅氧烷膜上,得超支化聚硅氧烷多层复合膜。本发明制备的超支化聚硅氧烷多层复合膜,具有三层膜结构,底层为带无纺布支撑的聚偏氟乙烯超滤膜,中间层为超支化聚硅氧烷膜,顶层分离层为极薄的聚硅氧烷膜。本发明制备的超支化聚硅氧烷多层复合膜,从上到下,疏松程度呈梯度分布,极大的提升了渗透汽化分离水中丁醇的性能。
申请公布号 CN105879699A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410784364.3 申请日期 2014.12.16
申请人 江南大学 发明人 白云翔;林佳强;张春芳;孙余凭;顾瑾
分类号 B01D69/12(2006.01)I;B01D71/70(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01D61/36(2006.01)I 主分类号 B01D69/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种超支化聚硅氧烷多层复合膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤,配方组成按重量份数计:A将超支化聚硅氧烷1.5‑2份、溶剂86‑89份、107胶7.5‑10份、催化剂0.5‑1.0份在60~80℃下反应12h后,形成铸膜料液,将所得铸膜液涂覆于聚偏氟乙烯多孔底膜上,静置空气中硫化2h,然后转入鼓风干燥箱于80℃干燥12h得超支化聚硅氧烷复合膜;B将乙烯基三乙氧基硅烷1.5‑2份、溶剂86‑89份、107胶7.5‑10份、催化剂0.5‑1.0份在60~80℃下反应6h后,形成铸膜料液,将所得铸膜液涂覆于上述超支化聚硅氧烷膜上,静置空气中硫化2h,然后转入鼓风干燥箱于80℃干燥12h,得到超支化聚硅氧烷多层复合膜。
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