多晶硅电阻结构及对应的半导体集成器件形成方法

摘要

一种多晶硅电阻结构及对应的半导体集成器件形成方法，所述半导体集成器件形成方法在第一区域形成控制栅材料层的同时，在所述第二区域的隔离层表面形成控制栅材料层，且在形成分栅式闪存的同时对第二区域的控制栅材料层同步进行刻蚀，使得形成分栅式闪存的控制栅的同时形成多晶硅电阻结构，不需要增加任何额外的工艺，缩短了工艺周期，并节省了沉积多晶硅的原料的消耗，节省了生产工艺成本。

主权项

一种半导体集成器件形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域相对的第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一绝缘材料层，所述第一绝缘材料层表面形成有浮栅材料层，所述浮栅材料层表面形成有第二绝缘材料层，所述第二区域的半导体衬底表面形成有隔离层，所述第一区域的第二绝缘材料层表面和第二区域的隔离层表面形成有控制栅材料层；在所述控制栅材料层表面形成具有开口的掩膜层，其中，位于第一区域的开口为第一开口，位于第二区域的开口为第二开口；在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙，在所述第二开口的侧壁形成第二侧墙；对所述第一开口暴露出来的控制栅材料层、第二绝缘材料层、浮栅材料层、第一绝缘材料层和第二开口暴露出来的控制栅材料层进行刻蚀，直到暴露出第一区域的半导体衬底和第二区域的隔离层；在所述第一开口、第二开口底部和侧壁表面形成第一氧化层，且在所述第一开口、第二开口内填充满多晶硅；去除所述掩膜层和被掩膜层覆盖的部分控制栅材料层，位于第一侧墙下方的控制栅材料层形成控制栅，位于第二侧墙下方的控制栅材料层形成多晶硅电阻，且暴露出所述控制栅、多晶硅两端的表面，暴露出的所述控制栅两端和多晶硅两端表面用于形成导电插塞；刻蚀所述被掩膜层覆盖的第二绝缘材料层、浮栅材料层、第一绝缘材料层，直至暴露出第一区域的半导体衬底，在第一区域形成分栅式闪存。