电荷捕捉场效晶体管中的制程界限工程

摘要

本技术的实施例是指向用于电荷捕捉场效晶体管的电荷捕捉区制程界限工程。该技术包含在衬底上形成多个浅沟渠绝缘区，其中，该浅沟渠绝缘区的顶部延伸在该衬底上方一给定量。氧化该衬底的一部分以形成穿隧介电区。在该穿隧介电区与浅沟渠绝缘区上沉积第一组一或多个氮化物层，其中，第一组氮化物层的厚度是近似该浅沟渠绝缘区的顶部延伸至该衬底上方的给定量的一半。将该第一组氮化物层的一部分回蚀至该浅沟渠绝缘区的顶部。在该已回蚀的第一组氮化物层上沉积第二组一或多个氮化物层。氧化第二组氮化物层以在该穿隧介电区上形成电荷捕捉区及在该电荷捕捉区上形成阻挡介电区。接着在该阻挡介电区上形成栅极区。

主权项

一种制造电荷捕捉场效晶体管的方法，其包括：在衬底上形成多个浅沟渠绝缘区；在该衬底上形成穿隧介电区；在该穿隧介电区与该浅沟渠绝缘区上形成第一氮化物层；将该第一氮化物层的一部分回蚀至该浅沟渠绝缘区的顶部，以形成已回蚀的第一氮化物层；在该已回蚀的第一氮化物层上直接形成第二氮化物层；氧化该已回蚀的第一氮化物层与该第二氮化物层的部分以在该穿隧介电区上形成电荷捕捉区及在该电荷捕捉区上形成阻挡介电区；以及在该阻挡介电区上形成栅极区。