切割/芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法

摘要

本发明提供可以防止切割薄膜屈服、断裂并且可以利用拉伸张力将芯片接合薄膜适当地断裂的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜中，切割薄膜的上推夹具的外周所接触的接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下，并且屈服点伸长度为80%以上，切割薄膜的晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，并且屈服点伸长度为30%以上，[(接触部的拉伸强度)‑(晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下，芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40%且为500%以下。

主权项

一种切割/芯片接合薄膜，在切割薄膜上设置有芯片接合薄膜，其特征在于，该切割/芯片接合薄膜用于如下方法：在对半导体晶片照射激光而形成改性区域后，利用所述改性区域将所述半导体晶片断裂，由此从半导体晶片得到半导体元件的方法；或者在半导体晶片的表面形成未到达背面的沟后，进行所述半导体晶片的背面磨削，从所述背面使所述沟露出，由此从半导体晶片得到半导体元件的方法，所述切割薄膜在外周部分具有用于粘贴切割环的环粘贴部，并且在相比于所述环粘贴部靠内侧处具有用于粘贴半导体晶片的晶片粘贴部，并且在所述环粘贴部与所述晶片粘贴部之间具有上推夹具的外周所接触的接触部，所述切割薄膜的所述接触部在25℃下的拉伸强度为15N以上且80N以下，并且屈服点伸长度为80％以上，所述切割薄膜的所述晶片粘贴部在25℃下的拉伸强度为10N以上且70N以下，并且屈服点伸长度为30％以上，[(所述接触部的拉伸强度)‑(所述晶片粘贴部的拉伸强度)]为0N以上且60N以下，所述芯片接合薄膜在25℃下的断裂伸长率大于40％且为500％以下，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂、酚醛树脂及丙烯酸类树脂，设所述环氧树脂与所述酚醛树脂的合计重量为X、所述丙烯酸类树脂的重量为Y时，X/(X+Y)为0.3以上且小于0.9。