一种铁电存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，包括：设置基底层1，上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层4。

主权项

一种铁电存储器的铁电薄膜电容的制造方法，其特征在于，包括：设置基底层(1)，上电极层(2)、上电极缓冲层(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)、粘结层(7)和阻挡层(8)按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层(8)粘结固定在硅基底层(1)上；其中多取代基的硅杂环己二烯掺杂到铅锆钛薄膜层中，形成铁电薄膜层(4)；多种取代基的硅杂环己二烯；式(1)中，R¹、R²相同或不同，代表烷基或芳基；R³代表氢、醛基、酮基、酯基或磷酸基；R⁴代表烷基、芳基；R⁵代表氢、烷基、烯基或芳基；R⁶代表烷基或芳基。