薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法。包括如下步骤：在基板的顶面形成栅极；在所述栅极上依次沉积形成栅极绝缘层、半导体材料及蚀刻阻挡层；使用第一光罩对所述蚀刻阻挡层图案化，形成设于所述栅极正上方的阻挡块；沉积第二金属层；使用第二光罩及光刻胶在所述第二金属层表面形成源极区、漏极区和沟道区；蚀刻所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的周围区域，使得所述栅极绝缘层外露；去除所述光刻胶及蚀刻所述沟道区中的所述第二金属层，使得留下的所述第二金属层形成源极和漏极；及使用UV光照射所述基板的底面。本发明能够节省光罩成本，简化制造工艺。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括：在基板的顶面沉积第一金属层，并将所述第一金属层图案化，形成栅极；在所述栅极上依次沉积形成栅极绝缘层、半导体材料及蚀刻阻挡层；使用第一光罩对所述蚀刻阻挡层图案化，形成设于所述栅极正上方的阻挡块；沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述阻挡块及所述半导体材料；使用第二光罩及光刻胶在所述第二金属层表面形成源极区、漏极区和沟道区；蚀刻所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的周围区域，使得所述栅极绝缘层外露；去除所述光刻胶及蚀刻所述沟道区中的所述第二金属层，使得留下的所述第二金属层形成源极和漏极；及使用UV光照射所述基板的底面，使得所述半导体材料与所述源极和所述漏极接触的部分导电性增强。