发明名称 |
金属陶瓷接合体、隔膜真空计、金属和陶瓷的接合方法以及隔膜真空计的制造方法 |
摘要 |
金属陶瓷接合体具备:金属部件;陶瓷部件(11);接合层(21),其由瓷釉构成,将金属部件和陶瓷部件接合;导电层(22),其构成陶瓷部件的外表面,被接合层覆盖;以及端子层(23),其位于陶瓷部件的外表面中与金属部件分离的部位(11d、11e)。导电层(22)具有比接合层(21)高的电导率。接合层(21)位于金属部件与端子层(23)之间。 |
申请公布号 |
CN105899475A |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201580003794.X |
申请日期 |
2015.01.08 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
高桥直树;吉田圭祐 |
分类号 |
C04B37/02(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I;G01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 |
代理人 |
余文娟 |
主权项 |
一种金属陶瓷接合体,具备:金属部件;陶瓷部件;接合层,其由瓷釉构成,将所述金属部件和所述陶瓷部件接合;导电层,其构成所述陶瓷部件的外表面,被所述接合层覆盖,所述导电层的电导率高于所述接合层的电导率;以及端子层,其位于所述陶瓷部件的外表面中与所述金属部件分离的部位,所述接合层位于所述金属部件与所述端子层之间。 |
地址 |
日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地 |