发明名称 整合水分去除与干燥的处理设备及半导体晶片的处理方法
摘要 本发明提供一种整合水分去除与干燥的处理设备及半导体晶片的处理方法,所述整合水分去除与干燥的处理设备包含:一处理室,用以在同一工艺内完成晶片表面的水分去除及干燥;一溶剂供给回收单元,经由一循环管线连接至所述处理室;一气体供给单元,经由一进气管线连接至所述处理室;一控制单元,与所述处理室、所述溶剂供给回收单元及所述气体供给单元电性连结。采用本发明的整合水分去除与干燥的处理设备及半导体晶片的处理方法,可以大幅降低生产成本并缩短工艺时间。
申请公布号 CN105895552A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201510038219.5 申请日期 2015.01.26
申请人 弘塑科技股份有限公司 发明人 黄立佐;吴进原;姜瑞丰;叶荫晟
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 翟羽
主权项 一种整合水分去除与干燥的处理设备,其特征在于,包括:一处理室,用以在同一工艺内完成晶片上的水分去除及晶片干燥;一溶剂供给回收单元,经由一循环管线连接至所述处理室;一气体供给单元,经由一进气管线连接至所述处理室;及一控制单元,与所述处理室、所述溶剂供给回收单元及所述气体供给单元电性连结,用以在置入经高洁净水清洗后的至少一晶片于所述处理室内后,控制所述溶剂供给回收单元将一溶剂供应于所述处理室以置换至少一所述晶片上残留的水分,等待一段时间后控制所述溶剂供给回收单元将所述溶剂予以回收,然后在所述溶剂缓慢排出所述处理室的同时或在所述溶剂完全排出所述处理室后,控制所述气体供给单元供应一干燥气体于所述处理室以去除至少一所述晶片上残留的溶剂。
地址 中国台湾新竹市