| 发明名称 | 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105895576A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610527885.X | 申请日期 | 2016.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 欧欣;黄凯;贾棋;游天桂;王曦 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||