LED外延接触层生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延接触层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长掺杂Si的AlGaN接触层、降温冷却。在生长掺杂Mg的P型GaN层后引入掺杂Si的AlGaN接触层的生长，即在LED外延最后的接触层设计AlGaN：Si结构，能够很好的匹配ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜电流扩展层，以降低接触电阻，从而能够降低LED芯片的工作电压。

主权项

一种LED外延接触层生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长掺杂Si的AlGaN接触层、降温冷却，所述生长掺杂Si的AlGaN接触层，进一步为：保持生长温度为850℃‑1050℃，将生长压力控制在100Torr‑500Torr，通入TEGa、TMAl以及SiH₄作为MO源，并通入NH₃，生长厚度为5nm‑20nm的掺杂Si的AlGaN接触层，其中，通入NH₃和TEGa的摩尔量比为1000‑5000，Al的组分控制在3％‑30％，Si掺杂浓度为1E19atoms/cm³‑1E21atoms/cm³。