N 型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃～920℃，之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积；扩散阶段，在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度，推进硼扩散；以及后氧化阶段，将硼扩散后的硅片降温，并同时通入氧气和氮气，得到硼扩散后的硅片。采用本发明的沉积扩散工艺降低了硅片表面的硼原子浓度，减小了表面的复合速率和晶格损伤，将方阻标准差（STDEV）控制在2.0左右，改善了硼扩散方阻均匀性，提高了电池的转换效率，也降低了硼源耗量，避免了生成过多的硼硅玻璃（BGS），节约了成本。

主权项

一种N型硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：沉积阶段，将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃～920℃，之后通入氮气、氧气和硼源使其所述硅片表面进行沉积；扩散阶段，在氮气气氛下将表面沉积后的所述硅片升温至预定温度，推进硼扩散；以及后氧化阶段，将硼扩散后的所述硅片降温，并同时通入氧气和氮气，得到硼扩散后的所述硅片；在所述沉积阶段，所述沉积的时间为10～30分钟，所述氮气的流量为22～24slm，所述氧气的流量为30sccm～320sccm，所述硼源的流量为120sccm～1000sccm。