发明名称 自定位窄边电桥波导及其真空钎焊工艺
摘要 本发明公开了一种自定位窄边电桥波导及其真空钎焊工艺,自定位窄边电桥波导及其真空钎焊工艺,它包括盖板(1)、腔体(2)和法兰(3),法兰(3)包括上半部法兰和下半部法兰,上半部法兰与盖板(1)一体成型,下半部法兰与腔体(2)一体成型,盖板(1)的四周设有凸台(4),腔体(2)的四周设有与凸台(4)相匹配的凹槽(5),盖板(1)、腔体(2)通过真空钎焊焊接在一起。本发明采用盖板、腔体组合自定位形成结合真空钎焊工艺,从而提高了整个波导的精度,克服了由火焰焊接而导致波导变形的问题,对真空钎焊后的波导进行电化学处理,从而增强了波导的抗腐蚀性能。
申请公布号 CN103928736B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410167345.6 申请日期 2014.04.24
申请人 成都锦江电子系统工程有限公司 发明人 杨芹粮;黄东;涂学明;陈忠;宁春颖;刘俊杰
分类号 H01P5/00(2006.01)I;H01P3/12(2006.01)I 主分类号 H01P5/00(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 自定位窄边电桥波导真空钎焊工艺,其特征在于:所述自定位窄边电桥波导包括盖板(1)、腔体(2)和法兰(3),法兰(3)包括上半部法兰和下半部法兰 ,上半部法兰与盖板(1)一体成型,下半部法兰与腔体(2)一体成型;盖板(1)的四周设有凸台(4),腔体(2)的四周设有与凸台(4)相匹配的凹槽(5),盖板(1)、腔体(2)通过真空钎焊焊接在一起;所述工艺包括以下步骤:S1:根据设计完成盖板(1)、腔体(2)的机械加工;所述盖板(1)的加工工艺包括以下子步骤:S11:切割,根据电桥波导设计将原材料水切割成盖板外形,预留加工余量3~5mm,厚度余量3~5mm;S12:粗铣加工,对数控铣床进行编程,完成盖板的粗铣加工,预留加工余量1mm;S13:消除应力退火,消除应力退火的温度为:250℃~280℃;S14:精铣加工,对数控铣床进行再次编程,完成盖板的精铣加工;所述腔体(2)的加工工艺包括以下子步骤:S21:切割,根据电桥波导设计将原材料水切割成腔体外形,预留加工余量3~5mm,厚度余量3~5mm;S22:粗铣加工,对数控铣床进行编程,完成腔体型腔的粗铣加工,预留加工余量1mm;S23:消除应力退火,消除应力退火的温度为:250℃~280℃;S24:精铣加工,对数控铣床进行再次编程,完成腔体型腔的精铣加工;所述盖板(1)和腔体(2)四周各端面各留2~3mm加工余量;所述凸台(4)和凹槽(5)扣除焊片的嵌入厚度,单边再各留0.02~0.04mm间隙;S2:将机械加工完成的盖板(1)、腔体(2)分别进行表面处理;S3:制作钎料,根据盖板(1)、腔体(2)相结合的接触面尺寸制作钎料,并将钎料装配在腔体(2)上,盖板(1)、腔体(2)进行装配;S4:真空钎焊,将装配好的波导固定在工装夹具上,放入真空铝钎焊炉中进行真空钎焊,真空铝钎焊炉中的钎焊温度为615℃时完成真空钎焊,随炉冷却;S5:对波导的外形及法兰作进一步的数控加工,进行钻孔及对法兰盘进行绞孔;S6:电化学处理,其具体步骤为:S61:除油:采用有机溶剂对电桥波导进行除油;S62:浸蚀:用8%~10%NaOH水溶液浸蚀除油后的电桥波导;S63:第一次冲洗:用热水反复冲洗浸蚀后的电桥波导;S64:光亮浸蚀:室温下用30%~50%HNO<sub>3</sub>溶液进行光亮浸蚀;S65:第二次冲洗:用冷水反复冲洗光亮浸蚀后的电桥波导;S66:导电氧化:将电桥波导浸入由0.5%~0.7%CrO<sub>3</sub>、0.05%~0.1%K<sub>3</sub>Fe(CN)<sub>6</sub>和0.1%~0.15%NaF组成的混合液中进行浸蚀;S67:第三次冲洗:将导电氧化后的电桥波导浸入流水中进行反复冲洗;S68:干燥。
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