一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路

摘要

本发明属于一种LED驱动电路，特别是涉及一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路，它包括功率MOSFET开关管，高压开关MOS管通过电阻与电路地线连接，还包括延时逻辑控制单元、信号采样单元、前沿消隐单元、控制逻辑信号单元、电压比较器、迟滞比较器和过压保护单元。本发明的功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路采用源极延迟采样技术，能够降低LED驱动控制电路的复杂度和面积，降低制造成本；本发明的功率MOSFET源极驱动拓扑结构的控制电路还具有控制方式简单、易于实现、功耗低和效率高的优点。

主权项

一种功率MOSFET开关管源极驱动拓扑结构的控制电路，它包括：功率MOSFET开关管M2和高压开关MOS管M1，该功率MOSFET开关管M2的源极与该高压开关MOS管M1的漏极连接，该功率MOSFET开关管M2的栅极与外部电源电压连接，该功率MOSFET开关管M2的漏极与变压器或电感连接，该高压开关MOS管M1的源极通过电阻R1与电路地线GND连接；其特征在于还包括：信号采样单元(11)、延时逻辑控制单元(30)、前沿消隐单元(14)、电压比较器(15)、控制逻辑信号单元(20)、迟滞比较器(12)和过压保护单元(13)；其中：所述延时逻辑控制单元(30)对所述高压开关MOS管M1的栅极信号V_G进行采样处理并产生延时逻辑控制信号V_ctr输出至所述信号采样单元(11)和过压保护单元(13)；所述信号采样单元(11)对所述功率MOSFET开关管M2的源极信号V_S进行采样处理；所述信号采样单元(11)对源极信号V_S进行分压得到分压信号V_S1，并通过延时逻辑控制信号Vctr控制开关K1的通断，将分压信号V_S1进行延迟处理得到延迟信号V_sample被分别输出至迟滞比较器(12)的第一输入端和第二输入端；所述迟滞比较器(12)对分压信号V_S1和延迟信号V_sample进行处理并产生逻辑信号V_C输出至所述控制逻辑信号单元(20)和过压保护单元(13)；所述过压保护单元(13)在延时逻辑控制信号V_ctr的采样时刻对所述逻辑信号V_C进行处理并产生逻辑信号V_E输出至所述控制逻辑信号单元(20)；所述前沿消隐单元(14)对所述高压开关MOS管M1与电阻R1之间的电压信号V_CS进行前沿消隐并将前沿消隐后的电压信号输出至所述电压比较器(15)，该电压比较器(15)将接收到的前沿消隐后的电压信号与基准电压V_ref进行比较并产生逻辑信号V_D输出至所述控制逻辑信号单元(20)；所述控制逻辑信号单元(20)对所述逻辑信号V_C、逻辑信号V_D和逻辑信号V_E进行处理并产生栅极信号V_G输出至所述高压开关MOS管M1的栅极和延时逻辑控制单元(30)。