计算机硬盘基片粗糙度的控制方法

摘要

本发明公开了一种计算机硬盘基片粗糙度的控制方法。包括以下步骤，原料为重量％：将粒径15～40nm的SiO₂用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂、边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；用pH调节剂使pH值在9.5～10.5范围内；加入5～15ml的氧化剂；使用上述抛光液在30～40℃温度、30～80rpm转速、0～0.05MPa、1L/min-5L/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。本发明是一种易清洗、低污染的降低存储器硬盘的磁盘基片表面粗糙度的方法。

主权项

一种计算机硬盘基片粗糙度的控制方法，其特征是，包括以下步骤，其中原料为重量％：(1)将粒径15～40nm的SiO₂用去离子水稀释，去离子水含量5～50％；(2)边搅拌边加入1～10％的醇醚类表面活性剂；(3)边搅拌边加入1～10％的FA/O螯合剂；(4)用pH调节剂调整上述溶液使pH值在9.5～10.5范围内；(5)在调整完pH后，加入5～15ml的氧化剂；(6)使用上述抛光液在30～40℃温度、30～80rpm转速、0～0.05MPa、1L/min‑5L/min流量的抛光工艺条件下，在抛光机上对基片进行抛光8～10min。