发明名称 倒装芯片发光二极管及其制造方法
摘要 本发明涉及一种倒装芯片发光二极管及其制造方法。该倒装芯片发光二极管包括封装体以及导体层。封装体中封装有至少一发光二极管芯片。发光二极管芯片具有从封装体的一侧面暴露出来的正极与负极。导体层设置在封装体的侧面上且直接接触发光二极管芯片的正极与负极。导体层具有电路图案以及使发光二极管芯片的正极与负极相互绝缘的绝缘部。本发明提供的倒装芯片发光二极管及其制造方法可降低成本并提升散热效率。
申请公布号 CN105895747A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610064896.9 申请日期 2016.01.29
申请人 黄秀璋 发明人 黄秀璋
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 孙英杰;陈亮
主权项 一种制造倒装芯片发光二极管的方法,该方法包括以下的步骤:提供封装体,该封装体中包括至少一发光二极管芯片,该发光二极管芯片的正极与负极是从该封装体的一侧面暴露出来;以及在该封装体的该侧面形成导体,其中,该发光二极管芯片的该正极与该负极是相互绝缘。
地址 中国台湾新北市土城区永丰路135巷8号2楼