| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本半导体装置具有层积体，其层积有多个半导体晶片；以及贯穿电极，其将层积于所述层积体的最下层的半导体晶片上的各个半导体晶片沿厚度方向贯穿、并且与所述最下层的半导体晶片的垫电极连接，其中，所述层积体的电源线和信号线的至少一者，通过所述贯穿电极，与构成所述层积体的半导体晶片共同地连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105900233A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201380081522.2 | 申请日期 | 2013.12.13 |
| 申请人 | WOW研究中心有限公司 | 发明人 | 白田理一郎;大场隆之 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有：积层体，其层积有多个半导体晶片；以及贯穿电极，其将层积于所述层积体的最下层的半导体晶片上的各个半导体晶片沿厚度方向贯穿、并且与所述最下层的半导体晶片的垫电极连接，其中，所述层积体的电源线和信号线的至少一者，通过所述贯穿电极，与构成所述层积体的半导体晶片共同地连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||