针对离子注入系统的降低轨迹金属污染的离子源

摘要

一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

主权项

一种用于离子注入系统的离子源室，所述离子源室包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽，布置在所述阴极周围；排斥极，与所述阴极相分离；板，包括用于从离子源室释放离子的源孔；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅是化学式为SiC_x的非化学计量烧结材料，其中，x从1.1到1.45。