控制半导体制造期间等离子体成分通量和沉积的方法和装置

摘要

在等离子体工艺期间施加的时间依赖的衬底温度被确定。在任意给定时间的所述时间依赖的衬底温度基于对在该给定时间等离子体成分的粘附系数的控制而确定。在所述等离子体工艺期间施加的上等离子体边界和衬底之间的时间依赖的温差也被确定。在任意给定时间的所述时间依赖的温差基于对在该给定时间所述等离子体成分被导向所述衬底的通量的控制而确定。所述时间依赖的衬底温度和时间依赖的温差以适合被限定并连接以在所述等离子体工艺期间管理所述上等离子体边界和所述衬底的温度控制的温度控制器件使用的数字格式进行存储。还提供了一种用于在所述等离子体工艺期间执行上等离子体边界温度控制和衬底温度控制的系统。

主权项

一种用于定义要在衬底上实施的等离子体工艺的方法，其包括：确定在所述等离子体工艺期间施加的时间依赖的衬底温度，其中在任意给定时间的所述时间依赖的衬底温度基于对在该给定时间等离子体成分的粘附系数的控制而确定；确定在所述等离子体工艺期间施加的上等离子体边界和衬底之间的时间依赖的温差，其中所述衬底作为下等离子体边界，且其中在任意给定时间的所述时间依赖的温差基于对在该给定时间所述等离子体成分被导向所述衬底的通量的控制而确定；以及以适合被限定并连接以在所述等离子体工艺期间管理所述上等离子体边界和所述衬底的温度控制的温度控制器件使用的数字格式存储所确定的所述时间依赖的衬底温度和时间依赖的温差。