| 发明名称 | 一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种石墨烯硅太阳电池及其制作方法。该石墨烯硅太阳电池，由上而下依次包括以下结构：正面金属电极、氮化硅薄膜、石墨烯薄膜、N型硅薄层、P型硅基体和背面金属电极构成。该太阳电池可以大幅降低太阳电池的串联电阻，提高电池收集电流的能力，从而提高电池的转换效率。另外，因为石墨烯的导电能力很强，可以降低银浆的使用量，达到降低成本的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104134706B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201410340422.3 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 发明人 | 李钢 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人 | 于晓晓 |
| 主权项 | 一种石墨烯硅太阳电池，其特征在于，由上而下依次包括以下结构：正面金属电极、氮化硅薄膜、石墨烯薄膜、N型硅薄层、P型硅基体和背面金属电极构成；正面金属电极穿透氮化硅薄膜和石墨烯薄膜与N型硅薄层接触，正面金属电极为Ag电极；氮化硅薄膜厚度为80‑90nm，石墨烯薄膜厚度为1‑10nm，N型硅薄层扩散方阻为80‑100欧姆，结深0.2‑0.5μm。 | ||
| 地址 | 250103 山东省济南市历城区经十东路30766号力诺科技园 | ||