发明名称 |
柔性量子点太阳能电池及其制作方法 |
摘要 |
一种柔性量子点太阳能电池及其制作方法,包括,利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层和太阳能电池层后制作出太阳能电池外延片,太阳能电池层依次包括窗口层、发射极、量子点超晶格结构、基极、背面场层和接触层,量子点超晶格结构包括至少一层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层、以及设置在In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层之间的间隔层;在太阳能电池外延片的接触层表面沉积金属背电极层并黏贴在柔性载体上,高选择性地腐蚀掉牺牲层,制作出柔性量子点太阳能电池。解决了现有GaAs基太阳能电池结构与长波长太阳光谱匹配度不高导致太阳能转换效率不高的问题,提供了高密度、多叠层且无缺陷的高效柔性半导体量子点太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN104241452B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410525826.X |
申请日期 |
2014.10.09 |
申请人 |
苏州强明光电有限公司 |
发明人 |
杨晓杰;叶继春 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 |
代理人 |
张建纲 |
主权项 |
一种柔性量子点太阳能电池的制作方法,其特征在于包括以下步骤:步骤S1:利用外延生长方法在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、牺牲层和太阳能电池层后制作出太阳能电池外延片,所述太阳能电池层依次包括窗口层、发射极、量子点超晶格结构、基极、背面场层和接触层,所述量子点超晶格结构包括至少一层In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层、以及设置在In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层之间的间隔层,其中,In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层中In组分0.0≤x≤1.0;在所述间隔层和/或In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>As量子点层中掺杂施主元素来增强电池的电流密度,所述掺杂的施主元素是硅元素,硅原子的浓度为1.0×10<sup>17</sup>‑1.0×10<sup>18</sup>cm<sup>‑3</sup>;步骤S2:在所述太阳能电池外延片的接触层表面沉积金属背电极层并黏贴在柔性载体上,高选择性地腐蚀掉所述牺牲层,实现所述太阳能电池层与GaAs衬底的无损分离后,在所述窗口层表面沉积上电极和减反射膜,制作出柔性量子点太阳能电池。 |
地址 |
215614 江苏省张家港市凤凰镇凤凰科技创业园D栋 |