单晶硅生长尾气固相处理技术

摘要

本发明技术是一种单晶硅生长尾气固相处理技术，特别涉及含有可燃性一氧化硅和一氧化碳气体的固相处理技术。将单晶硅生长产生的尾气经由导气管，导入到一个三层结构的固相处理滤筒内，三层结构分别为滤筒中心、滤筒中间层和滤筒外层，滤筒整体水平放置。滤筒中心为空心式结构，接入尾气，中间层为可转动结构，填充氧化铜粉末颗粒。尾气中的高温一氧化硅与氧化铜发生反就生成二氧化硅固体粉末，从滤筒内分离出来，在滤筒底部的收集器收集回收。一氧化碳与氧化铜发生反就生成二氧化碳，通过排放管过滤后与氩气一同排放。

主权项

一种单晶硅生长尾气固相处理技术，特别涉及含有可燃性一氧化硅和一氧化碳气体的固相处理技术；将单晶硅生长产生的尾气经由导气管1，导入到一个三层结构的固相处理滤筒内，三层结构分别为滤筒中心、滤筒中间层和滤筒外层，滤筒整体水平放置；滤筒中心2为空心式结构，接入尾气；中间层3为可转动结构，填充氧化铜粉末颗粒4；尾气中的高温一氧化硅与氧化铜发生反就生成二氧化硅固体粉末，从滤筒内分离出来，在滤筒底部的收集器5收集回收；一氧化碳与氧化铜发生反应就生成二氧化碳，通过排放管6过滤后与氩气一同排放。