发明名称 |
改善数字控制振荡电路负偏压温度不稳定性的恢复电路 |
摘要 |
本发明公开了一种改善数字控制振荡电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,包括数字控制振荡器电路和NBTI效应恢复单元;数字控制振荡电路包括第一与非门、8个反相器、32个三态门反相器和256个三态反相器;NBTI效应恢复单元包括第一PMOS管、第二PMOS管和第一、第二恢复信号输入端。本发明通过两个恢复控制信号的控制,可实现三态反相器内两个PMOS管的源极接低电平,栅极接高电平,栅源电压都正偏有效地加速了数字控制振荡器电路中三态反相器内两个PMOS管的NBTI效应恢复速度,有效抑制了PMOS管阈值电压的负向漂移。本发明不仅从整体上加强了电路的性能,而且电路结构简单,具有很高的实用价值和广阔的市场前景。 |
申请公布号 |
CN105897244A |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201610205259.9 |
申请日期 |
2016.04.05 |
申请人 |
苏州无离信息技术有限公司 |
发明人 |
张建杰 |
分类号 |
H03K19/003(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/003(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
夏海天 |
主权项 |
改善数字控制振荡电路负偏压温度不稳定性的恢复电路,其特征在于:包括一个数字控制振荡器电路和一个NBTI效应恢复单元;所述数字控制振荡电路包括第一与非门(ND1)、8个反相器(iv1,iv2,iv3,…,iv8)、32个三态门反相器(iv‑1,iv‑2,iv‑3,…,iv‑32)以及256个三态反相器(triv1,triv2,…,triv256),8个所述反相器(iv1,iv2,iv3,…,iv8)串联,第8个所述反相器(iv8)的输出端与所述第一与非门(ND1)的一个输入端连接,所述第一与非门(ND1)的输出端与第1个所述反相器(iv1)的输入端连接,共同构成一个环形振荡电路;8个所述反相器(iv1,iv2,iv2,…,iv8)各自分别与32个所述三态反相器并联,构成32行,8列的三态反相器阵列,其中,1个所述三态反相器受输入编码DCO[0]控制,2个所述三态反相器受输入编码DCO[1]控制,4个所述三态反相器受输入编码DCO[2]控制,8个所述三态反相器受输入编码DCO[3]控制,16个所述三态反相器受输入编码DCO[4]控制,32个所述三态反相器受输入编码DCO[5]控制,64个所述三态反相器受输入编码DCO[6]控制,128个所述三态反相器受输入编码DCO[7]控制;32个所述三态门反相器(iv‑1,iv‑2,iv‑3,…,iv‑32)的输入端分别与每一行的最后一个所述三态反相器的输出端连接,其中,第一个所述三态门反相器(iv‑1)的输出端输出时钟信号(CLK_OUT);所述NBTI效应恢复单元包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第一恢复信号输入端(EN_1)和第二恢复信号输入端(EN_2);所述第一PMOS管(P1)的源极分别与第249、251、253、255个所述三态反相器(triv249,triv251,triv253,triv255)的输入端以及第32个所述三态门反相器(iv‑32)的输入端连接,所述第一PMOS管(P1)的漏极与供电电源端(VDD)连接,所述第一PMOS管(P1)的栅极与所述第一恢复信号输入端(EN_1)连接;所述第二PMOS管(P2)的源极分别与第250、252、254、256个所述三态反相器(triv250,triv252,triv254,triv256)的输入端连接,所述第二PMOS管(P2)的漏极与供电电源端(VDD)连接,所述第二PMOS管(P2)的栅极与所述第二恢复信号输入端(EN_2)连接。 |
地址 |
215000 江苏省苏州市吴中区吴中大道1368号1幢A333室 |