发明名称 |
一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置,用以解决TFT因公共电极与TFT之间存在耦合电压导致TFT开启的问题,且避免液晶层液晶错相的问题。本发明提供的阵列基板,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上由栅线和数据线围设而成的多个子像素区域,每一子像素区域设置有:薄膜晶体管TFT、位于所述TFT上方的公共电极,以及位于所述公共电极上方的取向膜;所述取向膜的取向方向与所述栅线的延伸方向具有设定夹角,所述公共电极上与所述TFT对应的区域设置有沿设定方向延伸的镂空区域,所述镂空区域的延伸方向与所述取向膜的取向方向一致。 |
申请公布号 |
CN103985715B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201410183210.9 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
李会;崔贤植;方正;王海燕;田允允 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板上由栅线和数据线围设而成的多个子像素区域,每一子像素区域设置有:薄膜晶体管TFT、位于所述TFT上方的公共电极,以及位于所述公共电极上方的取向膜;所述取向膜的取向方向与所述栅线的延伸方向具有设定夹角,所述公共电极上与所述TFT对应的区域设置有沿设定方向延伸的镂空区域,所述镂空区域的延伸方向与所述取向膜的取向方向一致。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |