自对准超结功率晶体管的制作方法

摘要

一种自对准超结功率晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成外延层、第一光刻胶；利用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，所述掩膜版上具有多个第一沟槽图形和第二沟槽图形，相邻两个所述第一沟槽图形之间具有一所述第二沟槽图形，所述第二沟槽图形与其两侧相邻的第一沟槽图形的距离相等；所述第二沟槽图形与所述超结功率晶体管栅极的位置对应。本发明的技术方案利用一次掩膜版对所述外延层上的光刻胶进行曝光，确保了所述第二沟槽不会偏离相邻两第一沟槽之间的位置，避免了所述超结功率晶体管的击穿电压变小的问题的发生。

主权项

一种自对准超结功率晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；在所述外延层上形成第一光刻胶；利用掩膜版对所述第一光刻胶进行曝光，而后通过显影将所述掩膜版的图形转移至所述第一光刻胶，所述掩膜版上具有多个第一沟槽图形和第二沟槽图形，相邻两个所述第一沟槽图形之间具有一所述第二沟槽图形，所述第二沟槽图形与其两侧相邻的第一沟槽图形的距离相等；以显影处理后的所述第一光刻胶作为掩模，刻蚀所述外延层，在所述外延层上形成若干第一沟槽和若干第二沟槽；在所述第一沟槽和第二沟槽的内壁形成氧化层；在内壁形成有氧化层的所述第一沟槽和第二沟槽内填充栅极材料；去除所述第一沟槽内的栅极材料和氧化层，并进一步刻蚀所述第一沟槽，使所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽；在所述第一沟槽内填满掺杂材料；利用离子注入，在所述第一沟槽和第二沟槽之间形成所述超结功率晶体管的阱区和源极。