一种发光二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管的制造方法，先于半导体衬底表面依次沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；然后刻蚀所述P型层及量子阱层，形成N电极制备区域；接着于所述P型层表面形成ITO透明导电层，于所述ITO透明导电层表面制备P电极，于所述N电极制备区域制备N电极；然后将上述结构置于ZnO粉末与HCl溶液的混合液中，于上述结构表面沉积ZnO薄膜；最后去除P电极、N电极以及N电极制备区域表面的ZnO薄膜，以完成发光二极管的制造。本发明具有以下有益效果：在P-GaN层表面的ITO透明导电层上沉积一层表面粗化且对二极管没损伤的ZnO透明薄膜，有利于降低发光二极管内光线的全反射几率，提高发光二极管的亮度。

主权项

一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面依次沉积至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2)刻蚀所述P型层及量子阱层，形成N电极制备区域；3)于所述P型层表面形成ITO透明导电层，于所述ITO透明导电层表面制备P电极，于所述N电极制备区域制备N电极；4)将上述结构置于PH值为4.3‑5.3的ZnO粉末与HCl溶液的混合液中，于上述结构表面沉积ZnO薄膜；5)去除P电极、N电极以及N电极制备区域表面的ZnO薄膜，以完成发光二极管的制造。