发明名称 静态阈值消除与动态阈值消除相结合的倍压整流器
摘要 本发明属于能量获取技术领域,具体为一种静态阈值消除与动态阈值消除相结合的倍压整流器。本发明将静态阈值消除技术和动态阈值消除技术相结合,用直流偏置改变整流管的等效阈值,以增大整流管正向导通电流;用反相射频信号关断整流管,以减小整流管反向漏电流。本发明可实现超低射频功率输入下的高效率功率转换,以及宽输入功率带宽内的良好阻抗匹配,从而提高宽功率带内的能量传输效率。将本发明应用于射频识别(RFID)等领域,可大幅提高标签读、写灵敏度,从而提高其系统灵敏度。
申请公布号 CN103956920B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201410159855.9 申请日期 2014.04.21
申请人 复旦大学 发明人 陈勇;闵昊;闫娜;谈熙
分类号 H02M7/217(2006.01)I 主分类号 H02M7/217(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种静态阈值消除与动态阈值消除相结合的倍压整流器,其特征在于:静态阈值消除与动态阈值消除相结合;用直流偏置改变整流管的等效阈值,以增大整流管正向导通电流;用反相射频信号关断整流管,以减小整流管反向漏电流;该倍压整流器为差分结构,单级整流单元由四个整流管和对应的四个VS模块构成,有两个射频电容耦合射频信号;四个整流管为2个NMOS整流管(11)和2个PMOS整流管(12),对应的四个VS模块为2个NMOS整流管的偏置模块VSN(13) 和2个PMOS整流管的偏置模块VSP(14) ;其中,NMOS整流管(11)衬底B接地,源端S接直流输入VL‑1,漏端D与对应的PMOS整流管(12)漏端D相连;栅极G与NMOS整流管的偏置模块VSN (13)产生的控制信号相连;PMOS整流管(12)衬底B接直流输出VH‑2,源端S接直流输出VH‑2,漏端D与对应的NMOS整流管(11)漏端D相连,栅极G与PMOS整流管的偏置模块VSP (14)产生的控制信号相连;NMOS整流管的偏置模块VSN (13)与直流输入VL‑1相连,作为直流参考,与差分射频信号RF+(5)或差分射频信号RF‑(6)相连,与NMOS直流偏置信号(9)相连;PMOS整流管的偏置模块VSP(14)与直流输出VH‑2相连,作为直流参考,与差分射频信号 RF+(5)或差分射频信号RF‑(6)相连,与PMOS直流偏置信号(10)相连;在差分射频信号RF+(5)与一个PMOS整流管漏端D(7)之间接入射频电容,在差分射频信号RF‑(6)与另一个PMOS整流管漏端D(8)之间接入射频电容,这两个射频电容构成射频功率的输入通道;其中,NMOS直流偏置信号(9)以直流输入VL‑1为参考电平提供直流偏置,NMOS整流管的偏置模块VSN (13)将所得直流偏置与差分射频信号RF+(5)或差分射频信号RF‑(6)相叠加,得到NMOS整流管(11)的栅极控制信号;PMOS直流偏置信号(10)以直流输出VH‑2为参考电平提供直流偏置,PMOS整流管的偏置模块VSP( 14)将所得直流偏置与差分射频信号RF+(5)或差分射频信号RF‑(6)相叠加,得到PMOS整流管(12)的栅极控制信号;射频功率通过射频电容进入整流电路,并被以一定的效率转化为直流输入VL‑1和直流输出VH‑2之间的直流功率。
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