| 发明名称 | SiC成型体以及SiC成型体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CVD‑SiC成型体，其可以适合用作在半导体制造工序中使用的蚀刻器用构件等，该成型体的光透射性低、电阻率高。提供一种SiC成型体，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，优选的是电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。 | ||
| 申请公布号 | CN104508178B | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201280075046.9 | 申请日期 | 2012.09.13 |
| 申请人 | 东海炭素株式会社 | 发明人 | 杉原孝臣;朝仓正明;德永武士;贞木哲也 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C23C16/01(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种SiC成型体，其特征在于，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，所述SiC成型体的电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||