| 发明名称 | 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法，包括对所述GaP表面依次进行喷砂粗化处理和湿法腐蚀处理，以获得GaP粗糙出光表面，GaP粗糙出光表面的粗糙度范围：0.5μm＜Ra＜2μm。本发明通过对GaP表面进行喷砂处理得到有空洞、缺陷的GaP表面，再通过常规的化学腐蚀方法对GaP表面进行粗化，解决了GaP不易腐蚀的难题，得到了更稳定的GaP粗糙出光面，提升了四元芯片的出光效率。该方法操作简单，易进行规模化生产，更好的提升了芯片的品质，稳定了芯片的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105895750A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610274404.9 | 申请日期 | 2016.04.28 |
| 申请人 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 发明人 | 陈康;李晓明;申加兵;刘琦 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 吕利敏 |
| 主权项 | 一种四元芯片的GaP粗糙表面的制备方法，其特征在于，该方法包括对所述GaP表面依次进行喷砂粗化处理和湿法腐蚀处理，以获得GaP粗糙出光表面，GaP粗糙出光表面的粗糙度范围：0.5μm＜Ra＜2μm。 | ||
| 地址 | 261061 山东省潍坊市高新区金马路9号 | ||