| 发明名称 | 具有金属屏蔽层的集成电路和图像感测器件以及相关制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路包括第一半导体器件、第二半导体器件和金属屏蔽层。第一半导体器件包括第一衬底和第一多层结构，第一衬底支持第一多层结构。第二半导体器件包括第二衬底和第二多层结构，第二衬底支持第二多层结构。金属屏蔽层设置在第一多层结构和第二多层结构之间，其中，金属屏蔽层电连接至第二半导体器件。本发明还提供了具有金属屏蔽层的集成电路和图像感测器件以及相关制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105895648A | 申请公布日期 | 2016.08.24 |
| 申请号 | CN201610087672.X | 申请日期 | 2016.02.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡宗翰;郑允玮;周俊豪;李国政;许永隆;陈信吉 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：第一半导体器件，包括第一衬底和第一多层结构，所述第一衬底支持所述第一多层结构；第二半导体器件，包括第二衬底和第二多层结构，所述第二衬底支持所述第二多层结构；以及金属屏蔽层，设置在所述第一多层结构和所述第二多层结构之间，并且电连接至所述第二半导体器件。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||