发明名称 ZnO微纳米线制备方法、ZnO微纳米线压电换能元件制备方法
摘要 本发明公开了一种ZnO微纳米线制备方法。首先在基底上真空沉积ZnO薄膜;然后利用光刻工艺得到ZnO微纳米线。本发明还公开了一种ZnO微纳米线压电换能元件制备方法,利用上述ZnO微纳米线制备方法,再结合从上到下(Top‑down)微纳加工技术,可大批量、低成本地实现高能量转换效率的ZnO微纳米线压电换能元件生产加工,且生产成品率高。本发明制备得到的ZnO微纳米线具有高的c‑轴择优取向和小于3%(3‑sigma)的均匀性,基于该ZnO微纳米线的微纳米发电机可产生足以驱动大多数微传感器和微LED照明所需要的功率。
申请公布号 CN105895798A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610393794.1 申请日期 2016.06.03
申请人 南京工业大学 发明人 章伟;李雨桐;闵信杰;胡烨伟;胡雪峰
分类号 H01L41/331(2013.01)I;H01L41/332(2013.01)I;H01L41/08(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I 主分类号 H01L41/331(2013.01)I
代理机构 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 代理人 杨楠
主权项 一种ZnO微纳米线制备方法,其特征在于,首先在基底上真空沉积ZnO薄膜;然后利用光刻工艺得到ZnO微纳米线。
地址 210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号