太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法

摘要

本发明涉及一种太阳能单晶硅片清洗液，其包括1%～5%质量百分比的30%的过氧化氢溶液、0.05%～0.30%质量百分比的氢氧化钾以及94.95%～98.95%质量百分比的纯水。该太阳能单晶硅片清洗液，利用过氧化氢的强氧化性及OH^‑对氧化膜的腐蚀作用，可以有效去除硅片表面的有机物、氧化膜及沉积在氧化膜中的污染物等脏污，提高硅片表面的洁净度，防止植绒时出现白斑，产生色差现象。此外，本发明还涉及一种太阳能单晶硅片的清洗方法。

主权项

一种太阳能单晶硅片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：将待清洗的太阳能单晶硅片依次经酸洗、纯水漂洗、清洗剂清洗及纯水漂洗，以初步除去所述太阳能单晶硅片表面的脏污；将上述初步清洗后的所述太阳能单晶硅片浸没在太阳能单晶硅片清洗液中进行清洗，其中，所述太阳能单晶硅片清洗液，包括如下质量百分比的各组分：质量分数为30％的过氧化氢溶液   1.00％、氢氧化钾                       0.05％、以及纯水                           98.95％；将经所述太阳能单晶硅片清洗液清洗后的所述太阳能单晶硅片再次进行纯水漂洗，再烘干得到表面洁净的太阳能单晶硅片；所述质量分数为30％的过氧化氢溶液及所述氢氧化钾的纯度均在分析纯以上，所述纯水的电阻在10兆欧姆以上；所述太阳能单晶硅片清洗液清洗过程中温度控制在30～50℃之间，清洗时间为200～400秒；所述酸洗过程中使用的酸液是柠檬酸溶液；所述清洗剂清洗是使用碱液清洗，所述清洗剂清洗的次数为两次；所述纯水漂洗是使用纯水进行溢流漂洗；经所述太阳能单晶硅片清洗液清洗后的所述太阳能单晶硅片的纯水漂洗次数为两次。