半导体器件

摘要

一种半导体器件：包括HEMT和二极管。所述HEMT包括：具有GaN层和AlGaN层的衬底，所述GaN层生成二维电子气且用作沟道层，所述AlGaN层在所述GaM层上且用作阻挡层；源极电极，所述源极电极在所述AlGaN层上且与所述AlGaN层形成欧姆接触；漏极电极，所述漏极电极在所述AlGaN层上远离所述源极电极，且与所述AlGaN层形成欧姆接触；在所述源极电极和漏极电极之间的所述AlGaN层上的层间绝缘膜；以及所述层间绝缘膜上的栅极电极。所述衬底包括在所述GaN层中生成所述二维电子气的活性层区域。所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极和电连接至所述漏极电极的阴极。

主权项

一种半导体器件，包括：高电子迁移率晶体管；以及二极管，其中所述高电子迁移率晶体管包括：衬底，所述衬底具有氮化镓层和氮化铝镓层，所述氮化镓层用于在其中生成二维电子气并且用作沟道层，所述氮化铝镓层叠置在所述氮化镓层上并且用作阻挡层，源极电极，所述源极电极被设置在所述氮化铝镓层上并且与所述氮化铝镓层形成欧姆接触，漏极电极，所述漏极电极在所述氮化铝镓层上被设置为远离所述源极电极，并且与所述氮化铝镓层形成欧姆接触，层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被布置在所述源极电极和所述漏极电极之间的所述氮化铝镓层上，以及栅极电极，所述栅极电极被布置在所述层间绝缘膜上，所述衬底包括用于在所述氮化镓层中生成所述二维电子气的活性层区域；所述二极管包括电连接至所述栅极电极的阳极以及电连接至所述漏极电极的阴极，并且所述二极管为栅极‑漏极二极管，其中：所述衬底包括与所述活性层区域电隔离的元件隔离区域，并且所述二极管被布置在所述元件隔离区域中。