发明名称 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法
摘要 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法,属于电子技术领域。本发明目的是针对目前的双极型器件表面的氧化物俘获正电荷和界面态使得双极型器件的抗辐照能力减弱的问题。本发明所述基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固方法,首先通过对离子种类为F、Cl、Br、I和As离子采用SRIM和TCAD软件进行模拟仿真,仿真获得离子能量、射程与注量,再进行离子注入。入射离子选用F、Cl、Br、I和As元素形成电离辐射缺陷的俘获陷阱,可降低电离辐射缺陷的密度。通过钝化层离子注入方式,减小氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能的影响,提高双极型器件的抗辐照能力,用于航天器用电子器件的抗辐照加固。
申请公布号 CN103887154B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201410135913.4 申请日期 2014.04.04
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 李兴冀;刘超铭;杨剑群;肖景东;何世禹
分类号 H01L21/265(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 岳泉清
主权项 一种基于钝化层离子注入方式的双极型器件的抗电离辐照加固方法,其特征在于,该双极型器件的抗电离辐照加固方法为:步骤一、根据双极型器件的钝化层的材料类型、密度和厚度,采用SRIM软件计算出针对该双极型器件的钝化层所要注入的F、Cl、Br、I和As离子的能量和射程信息;步骤二、根据步骤一获得的F、Cl、Br、I和As离子的能量和射程信息,采用TCAD软件模拟获得双极型器件的电流增益变化和双极型器件的钝化层内部缺陷信息;步骤三、根据步骤二获得的双极型器件的电流增益变化和双极型器件的钝化层内部缺陷信息,确定双极型器件的最优的入射F、Cl、Br、I和As离子能量和注量;按照控制双极型器件离子注入后的性能变化量小于原始参数的10%的原则,来确定双极型器件的最优的入射F、Cl、Br、I和As离子能量和注量;步骤四、根据步骤三确定的双极型器件的最优的入射的F、Cl、Br、I和As离子能量和注量对离子注入机的参数进行设置;所述离子注入机的参数包括:离子注入机的电压、电流和注入时间;步骤五、采用离子注入机对双极型器件进行F、Cl、Br、I和As离子注入,完成基于钝化层离子注入方式的双极型器件抗电离辐照加固。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号