| 发明名称 | 一种TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法及其应用。该方法是常温常压条件下，将纯钛片在浓度为8～10mol/L的HCl溶液或H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>溶液中浸泡12～24h，反应完毕后，用去离子水清洗，洗至PH值为7，70～110℃干燥，400～600℃煅烧1～2h，得到TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜电极材料。该TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜电极材料在疾病特征miRNA相关电化学生物传感检测或生物传感器件的应用。该TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜薄厚均匀，形貌可控，结构牢固，电极制备工艺简单，无需粘结剂粘结，容易实现标准化和批量化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103884756B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201410050663.4 | 申请日期 | 2014.02.13 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 崔静洁;刘宏;黄震;厉力华;高力;何青芳 |
| 分类号 | G01N27/327(2006.01)I;B82Y15/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C23C22/54(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/327(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人 | 杜军 |
| 主权项 | 一种TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列薄膜电极材料的制备方法，其特征在于该方法是：常温常压条件下，将纯钛片在浓度为8～10mol/L的HCl溶液或H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>溶液中浸泡12～24h，反应完毕后，用去离子水清洗，洗至PH值为7，70～110℃干燥，400～600℃煅烧1～2h，得到TiO<sub>2</sub>纳米棒有序阵列薄膜电极材料。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||