半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括多个叠层结构以及多个接触结构，其中各叠层结构包括多个导电条与多个绝缘条，导电条与绝缘条交错设置(interlaced)，各接触结构分别电性连接于各叠层结构；接触结构包括一第一导电柱(conductive pillar)、一介电材料层、一金属硅化物层及一第二导电柱；介电材料层环绕第一导电柱的侧面，金属硅化物层形成于第一导电柱的上表面上，第二导电柱形成于金属硅化物层上，该多个第一导电柱的上表面为同平面。

主权项

一种半导体结构，包括：多个叠层结构，其中各该叠层结构包括多个导电条与多个绝缘条，该多个导电条与该多个绝缘条交错设置(interlaced)；以及多个接触结构，各该接触结构分别电性连接于各该叠层结构，各该接触结构包括：一第一导电柱(conductive pillar)；一介电材料层，环绕该第一导电柱的侧面；一金属硅化物层，形成于该第一导电柱的上表面上；及一第二导电柱，形成于该金属硅化物层上；其中，该多个第一导电柱的上表面为同平面。