发明名称 |
一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法,首先通过化学气相沉积方法制备垂直定向碳纳米管阵列,然后利用溅射方法在垂直碳纳米管阵列端部沉积纳米金属颗粒,之后用电化学沉积的方法在金属基底制备纳米针锥结构,最后在一定温度和压力条件下,实现碳纳米管阵列与金属基底的热压固态键合。本发明提供的垂直碳纳米管阵列与金属基底的键合方法,与微电子制造工艺兼容,操作简单,纳米中间层的原子互扩散降低了键合温度和压力,在微纳机电系统制造和三维封装领域具有广泛应用前景。 |
申请公布号 |
CN103928359B |
申请公布日期 |
2016.08.17 |
申请号 |
CN201410145673.6 |
申请日期 |
2014.04.14 |
申请人 |
河南省科学院应用物理研究所有限公司 |
发明人 |
宋晓辉;赵兰普;岳鹏飞;梁楠;庄春生;王其富;张松涛 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
一种垂直碳纳米管阵列与金属基底键合的方法,其特征是通过化学气相沉积方法制备垂直定向碳纳米管阵列,然后利用溅射的方法在阵列端部制备纳米金属颗粒,利用电化学沉积的方法在金属基底表面制备纳米金属针锥结构,将纳米金属颗粒和纳米金属针锥结构作为键合层,实施热压键合。 |
地址 |
450008 河南省郑州市金水区政六街22号 |