改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法

摘要

本发明公开了一种改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法，包括如下步骤：1.1硅化钨栅极图形的形成；1.2硅化钨栅极的第一次栅极刻蚀；1.3采用一步同时带有修正硅化钨侧壁形貌功能的干法刻蚀去除光刻胶，之后加纯水冲洗做清洗；1.4介质膜氮化硅沉积；1.5第二次栅极刻蚀，刻蚀完剩余多晶硅。本发明在第一步刻蚀完去胶时采用一步与传统氧气去胶不同的带四氟化碳的特殊去胶步骤，并加以纯水冲洗处理,由于四氟化碳的特殊去胶步骤能刻蚀部分硅化钨侧壁，修复硅化钨膜层的侧壁成垂直形貌，使得在后续沉积介质膜及第二步刻蚀中难以形成小的介质膜阻挡墙，从而也避免了多晶硅刻蚀时产生残留。

主权项

一种改善自对准接触孔的硅化钨双栅极边缘粗糙度的方法，其特征在于，包括如下步骤：1.1硅化钨栅极图形的形成；1.2硅化钨栅极的第一次栅极刻蚀；1.3采用一步同时带有修正硅化钨侧壁形貌功能的干法刻蚀去除光刻胶，之后加纯水冲洗做清洗；所述干法刻蚀为带有四氟化碳的特殊去胶步骤，将第一次栅极刻蚀之后硅化钨侧壁下部向外延伸的斜坡阻挡去除，将硅化物侧壁形貌修正为垂直形貌；1.4介质膜氮化硅沉积；1.5第二次栅极刻蚀，刻蚀完剩余多晶硅。