深沟槽中感应材料的成膜方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽中感应材料的成膜方法，包括步骤：1）在硅衬底上生长硬掩膜；2）在硬掩膜上涂布光刻胶，形成深沟槽光刻窗口；3）光刻刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀掉硬掩膜；5）淀积感应材料；6）旋涂光刻胶填充型材料2次，并在第2次旋涂完成后，静止10～20秒钟，再烘烤；7）涂布光刻胶，曝光并显影；8）刻蚀形成最终图案。本发明通过优化涂胶菜单，在涂胶的最后一步增加10～20s的静止时间，让光刻胶从深沟槽上方附近流入到深沟槽中，利用光刻胶的随型性特征，保护沟槽的侧壁和圆角部分，并保持和沟槽相近的图形，从而减少了一次涂胶步骤，在不影响器件性能的前提下降低了成本和后续刻蚀的时间。

主权项

深沟槽中感应材料的成膜方法，包括步骤：1）在硅衬底上生长硬掩膜；2）在硬掩膜上涂布光刻胶，并形成深沟槽光刻窗口；3）以光刻胶为掩膜，光刻刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除硬掩膜；5）淀积一层感应材料；6）旋涂光刻胶填充型材料2次；7）涂布一层光刻胶，曝光并显影；8）刻蚀形成最终所需的图案；其特征在于，步骤6），第2次旋涂光刻胶填充型材料完成后，静止10～20秒钟，再进行烘烤。