一种肖特基型中子探测器及其制作方法

摘要

本发明一种肖特基型中子探测器及其制作方法，涉及中子辐射的测量，是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和⁶LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n⁺掺杂氮化镓层上面，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，⁶LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的部位。本发明克服了现有技术的中子探测器不能用于核反应堆、高能物理实验和外太空的高温、高压和强辐射极端环境中的缺陷。

主权项

一种肖特基型中子探测器，其特征在于：是氮化镓中子探测器，自下至上包括欧姆接触、n+掺杂氮化镓层、氮化镓厚膜基底、肖特基接触、保护环和⁶LiF中子转换层，其中，n+掺杂氮化镓层形成在氮化镓厚膜基底的氮极性面，欧姆接触被制作在n⁺掺杂氮化镓层的下方面上，肖特基接触被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上的中间部分，保护环被制作在氮化镓厚膜基底的镓极性面上肖特基接触四周的环形部分，⁶LiF中子转换层被制作在肖特基接触的上面，位于肖特基接触的中央部位，所述氮化镓厚膜基底的厚度为300um～400um，电阻率介于106Ω.cm～109Ω.cm之间，所述肖特基接触和保护环之间的距离为50um～100um。