一种并联结构的LED芯片

摘要

本实用新型公开了一种并联结构的LED芯片，包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由隔离槽隔离形成若干隔离区，隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，N电极位于第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。本实用新型通过并联结构能够使LED芯片的电流均匀分布，减少了电极及引脚对出光的吸收，增加侧壁的出光，提高了LED芯片的发光亮度。

主权项

一种并联结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，所述外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，所述外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由所述隔离槽隔离形成若干隔离区，所述隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，所述第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，所述N电极位于所述第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，所述P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。