InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法。该InAs/GaSb超晶格红外光电探测器包括：衬底；沉积于衬底上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层、n型电极接触层、势垒层、本征吸收层、p型电极接触层和盖层，该外延结构的两侧经刻蚀形成台阶；金属上电极，形成于台阶的上方；金属下电极，形成于台阶的下方；以及钝化层；其中，本征吸收层由若干个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb超晶格结构构成。本发明中，本征吸收层每个超晶格周期的两个界面中均插入InSb，形成应变超晶格，有效的平衡了超晶格与衬底之间的应力，提高了材料的生长质量，从而提高探测器的光电性能。

主权项

一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器，其特征在于，包括：衬底(1)；沉积于所述衬底(1)上的外延结构，该外延结构包括：n型掺杂缓冲层(2)、n型电极接触层(3)、势垒层(4)、本征吸收层(5)、p型电极接触层(6)和盖层(7)，该外延结构的两侧经刻蚀形成台阶，台阶的深度至所述n型电极接触层(3)；金属上电极(8)和金属下电极(9)，其中，所述金属上电极(8)形成于所述台阶的上方，与所述盖层(7)欧姆接触，所述金属下电极(9)形成于所述台阶的下方，与所述n型电极接触层(3)欧姆接触；以及钝化层(10)，形成于所述衬底(1)以及外延结构上除金属上电极(8)和金属下电极(9)之外的其他位置；其中，所述n型电极接触层(3)、势垒层(4)、本征吸收层(5)、p型电极接触层(6)均由超晶格结构构成，所述本征吸收层(5)由若干个周期的InAs/InSb/GaSb/InSb超晶格结构构成；其中，所述n型电极接触层(3)由若干个“M”型超晶格结构构成；该“M”型超晶格结构自下而上包括：10～20ML InAs/1～5ML GaSb/1～5ML AlSb/1～5ML GaSb，其中，ML表示原子层，所述InAs层的材料采用Si掺杂的InAs材料。