发明名称 一种耐电晕聚酰亚胺-聚全氟乙丙烯复合薄膜及其制备方法
摘要 本发明提供一种耐电晕聚酰亚胺-聚全氟乙丙烯复合薄膜,包括:薄膜层A,为耐电晕聚酰亚胺薄膜,是所述复合薄膜的主体结构,所述薄膜层A的厚度不低于复合薄膜总厚度的1/3;薄膜层B,含有聚全氟乙丙烯树脂及填充于其间的纳米无机填料,所述薄膜层B覆盖于所述薄膜层A的至少一面,由此所述复合薄膜具有A-B两层结构或B-A-B三层结构;所述单个薄膜层B的厚度不超过复合薄膜总厚度的1/2。该复合薄膜不但具有优异的物理、化学性能,并且具有优秀的耐电晕性。
申请公布号 CN103832033B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310717388.2 申请日期 2013.12.23
申请人 深圳瑞华泰薄膜科技有限公司 发明人 何志斌;袁舜齐;汤昌丹
分类号 B32B27/08(2006.01)I;B32B27/30(2006.01)I;B32B27/04(2006.01)I;B32B37/15(2006.01)I;B32B37/06(2006.01)I;B32B37/10(2006.01)I 主分类号 B32B27/08(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 黄韧敏;郭晓敏
主权项 一种耐电晕聚酰亚胺‑聚全氟乙丙烯复合薄膜,包括:薄膜层A,为耐电晕聚酰亚胺薄膜,是所述复合薄膜的主体结构;所述薄膜层A的厚度不低于复合薄膜总厚度的1/3;薄膜层B,含有聚全氟乙丙烯树脂及填充于其间的纳米无机填料,所述薄膜层B覆盖于所述薄膜层A的至少一面,由此所述复合薄膜具有A‑B两层结构或B‑A‑B三层结构;单个薄膜层B的厚度不超过复合薄膜总厚度的1/2;其中填充于薄膜层B间的纳米无机填料选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锆、氧化铝、碳化硅、氮化硅中的一种或两种的组合,其粒径分布范围为10~1000nm,含量为聚全氟乙丙烯重量的1~10%;所述薄膜层A的厚度≥25μm,所述薄膜层B的厚度为2.5~12.5μm。
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