在ALD/CVD工艺中用于GST薄膜的前体

摘要

本发明是一种使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锗‑锑‑碲合金(GST)或锗‑铋‑碲(GBT)薄膜的方法，其中甲硅烷基锑前体被用作合金薄膜中锑的来源。本发明也涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制备锑与其他元素的合金，其中甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体被用作锑或铋的来源。

主权项

一种用于在衬底表面上制备含锑薄膜的ALD工艺，所述工艺包括以下步骤：将烷醇锗作为前体引入到沉积室中以在所述衬底的表面上形成烷醇锗分子层，其中所述烷醇锗由式Ge(OR¹⁴)₄表示，其中R¹⁴是C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基或C₄‑C₁₀芳基；和将选自以下的甲硅烷基锑前体引入到沉积室中以在Ge层的顶部形成Sb层，其中所述Sb包含甲硅烷基取代基：其中R^1‑10独立地为氢原子、C₁‑C₁₀烷基、C₂‑C₁₀链烯基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基或C₄‑C₁₀芳基；R¹¹和R¹²独立地为C₁‑C₁₀烷基、C₃‑C₁₀链烯基、C₃‑C₁₀环烷基、C₃‑C₁₀环烯基或C₄‑C₁₀芳基。