石墨烯量子点/聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)材料的存储器件及制备

摘要

本发明公开了一种基于水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的记忆存储器件及其制备方法。本发明的记忆存储器件是由下电极、旋涂在下电极上的水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的有机记忆存储层、沉积在有机记忆存储层上的上电极组成。通过调控复合材料中石墨烯量子点的含量，可调控基于该复合材料的存储器件的存储类型，开启电压和开关电流比。本发明工艺简单，实验条件温和，还可通过柔性基底电极构造柔性存储器件。

主权项

基于水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的记忆存储器件，其特征是由下电极、旋涂在下电极上的水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为存储器件的有机记忆存储层、沉积在有机记忆存储层上的上电极组成，所述的水溶性石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的制备方法包括有以下步骤：1)通过电化学方法制备水溶性石墨烯量子点；2)将水溶性石墨烯量子点加入聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)水溶液中，超声分散20‑60分钟，得石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料的水溶液；所述的石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料作为有机记忆存储层的厚度为60‑100nm；所述的石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料在水溶液中的浓度为8‑12mg/mL；所述的石墨烯量子点在石墨烯量子点/聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)复合材料中的重量比例为0.05％‑0.45％。