| 发明名称 | 薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)基底、包括TFT基底的显示装置、制造TFT基底的方法和制造显示装置的方法。所述薄膜晶体管(TFT)基底包括：基底；TFT，在基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在TFT的上部区域和TFT的外围区域中的一个或更多个中，在至少一个虚设孔中填埋的材料是与绝缘层的材料不同的绝缘材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105870126A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610082176.5 | 申请日期 | 2016.02.05 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 金铉哲 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;尹淑梅 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在所述薄膜晶体管的上部区域或所述薄膜晶体管的外围区域中的一个或更多个中，在所述至少一个虚设孔中填埋的材料是与所述绝缘层的材料不同的绝缘材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||