一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法

摘要

本发明公开了一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法：将从盛放液态Ga的Ga舟通入的HCl气体，在通过本发明‑改善的HCl气体流通途径时，与金属Ga充分混合而反应生成GaCl气体，从液态Ga的上部液面逸出后，导入生长区与NH₃反应生成GaN以供生长。本方法，由于避免HCl气体直接进入生长区及籽晶附近，所以提高GaN晶体材料的生长速率；并且，由于增加反应时间，可改善Ga液面下降引起生长区GaCl浓度变化致使GaN生长速度下降的问题，从而提高GaN晶体生长的稳定性。

主权项

一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法，其特征在于，将从盛放液态Ga的Ga舟的入口通入的HCl气体，在通过改善的HCl气体流通途径时，与金属Ga充分混合而反应生成GaCl气体；所述反应生成的GaCl气体，从液态Ga的上部液面逸出；所述液面逸出的GaCl气体，从Ga舟出口流出，导入至生长区与NH3反应生成GaN材料。