| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在提高开态电流的同时降低漏电流。该薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极以及半导体有源层，该半导体有源层包括第一子半导体层和第二子半导体层，第一子半导体层靠近栅极；其中，第一子半导体层中，至少与源极和漏极之间的区域相对应的部分由多晶硅构成；第二子半导体层中，与源极和漏极之间的区域相对应的部分至少包括非晶硅。 | ||
| 申请公布号 | CN105870203A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610472946.7 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 何晓龙;薛建设;刘还平;王威;李治福;舒适 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括源极、漏极以及栅极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括半导体有源层，所述半导体有源层包括第一子半导体层和第二子半导体层，所述第一子半导体层靠近所述栅极；其中，所述第一子半导体层中，至少与所述源极和所述漏极之间的区域相对应的部分由多晶硅构成；所述第二子半导体层中，与所述源极和所述漏极之间的区域相对应的部分至少包括非晶硅。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||