| 发明名称 | GaN基材料的侧壁加工工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割，得到正面切割槽；（2）将切割后的GaN基材料浸入刻蚀溶液中进行刻蚀，对正面切割除槽的侧壁和/或底表面形状进行改变，刻蚀温度为20~105℃，刻蚀时间为0.1~1000分钟。所述刻蚀溶液采用KOH溶液。所述刻蚀溶液的浓度为0.1~20mol/L。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的形状为正梯形、倒梯形或矩形。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁为平滑表面或锯齿形表面。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁与底表面呈圆弧过渡。本发明所述加工工艺廉价、有效，能够得到不同形貌的GaN基材料的侧壁或表面。 | ||
| 申请公布号 | CN105870006A | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201610402689.X | 申请日期 | 2016.06.08 |
| 申请人 | 江苏新广联半导体有限公司 | 发明人 | 张帆;李宏磊;吴永胜 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人 | 曹祖良;刘海 |
| 主权项 | 一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割，得到正面切割槽；（2）将切割后的GaN基材料浸入刻蚀溶液中进行刻蚀，对正面切割除槽的侧壁和/或底表面形状进行改变，得到所需要形状的侧壁和底表面；刻蚀温度为20~105℃，刻蚀时间为0.1~1000分钟。 | ||
| 地址 | 214192 江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||